IT之 5 月 25 日讯息，据韩媒当地时刻本日报谈，三星电子近期期骗单位多层键 (CMB) 本领承接两片 450 层 3D NAND，构建了群众个 900 层堆叠 3D NAND 闪存原型内江隔热条PA66生产设备，这么品的存储单位职责特已取得考据。
将两片 450 层 NAND“摩天大楼”整为片 900 层 NAND，这经由对键的可靠淡薄了格外条目。
三星电子在原型制造中以“上部卡盘”(Upper Chuck) 搞定了晶圆翘曲问题，并以新式套刻改良本领克服了轻细瞄准过错，隔热条PA66此外位线 (BL) 与字线 (WL) 的篡改也同期篡改了功耗和尺寸。
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